货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.208904 | ¥9.21 |
10 | ¥7.933824 | ¥79.34 |
25 | ¥7.401125 | ¥185.03 |
100 | ¥5.49984 | ¥549.98 |
250 | ¥5.224423 | ¥1306.11 |
500 | ¥4.293898 | ¥2146.95 |
1000 | ¥3.490174 | ¥3490.17 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN60R2K0PFD7S SP003493700
单位重量 116.010 mg
购物车
0IPN60R2K0PFD7SATMA1
型号:IPN60R2K0PFD7SATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.208904 |
10+: | ¥7.933824 |
25+: | ¥7.401125 |
100+: | ¥5.49984 |
250+: | ¥5.224423 |
500+: | ¥4.293898 |
1000+: | ¥3.490174 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.21