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IPN60R2K0PFD7SATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPN60R2K0PFD7SATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 9.208904 9.21
10 7.933824 79.34
25 7.401125 185.03
100 5.49984 549.98
250 5.224423 1306.11
500 4.293898 2146.95
1000 3.490174 3490.17

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 3 A

漏源电阻 2 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 3.8 nC

耗散功率 6 W

通道模式 Enhancement

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPN60R2K0PFD7S SP003493700

单位重量 116.010 mg

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IPN60R2K0PFD7SATMA1

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型号:IPN60R2K0PFD7SATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥9.208904
10+: ¥7.933824
25+: ¥7.401125
100+: ¥5.49984
250+: ¥5.224423
500+: ¥4.293898
1000+: ¥3.490174

货期:7-10天

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