
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.962355 | ¥13.96 |
| 10 | ¥11.576382 | ¥115.76 |
| 500 | ¥7.795354 | ¥3897.68 |
| 1000 | ¥6.614268 | ¥6614.27 |
| 5000 | ¥6.047291 | ¥30236.46 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 570 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 46 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0R6007ENX
型号:R6007ENX
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.962355 |
| 10+: | ¥11.576382 |
| 500+: | ¥7.795354 |
| 1000+: | ¥6.614268 |
| 5000+: | ¥6.047291 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.96