货期: 8周-10周
起订量:500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
500 | ¥10.868606 | ¥5434.30 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 660 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 27.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPA65R660CFD SP001977032
单位重量 2 g
购物车
0IPA65R660CFDXKSA2
型号:IPA65R660CFDXKSA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
500+: | ¥10.868606 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00