货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.869014 | ¥5607.04 |
6000 | ¥1.740183 | ¥10441.10 |
15000 | ¥1.675699 | ¥25135.49 |
30000 | ¥1.617329 | ¥48519.87 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 8.8 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 3.5 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RDR005N25
单位重量 12 mg
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0RDR005N25TL
型号:RDR005N25TL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.869014 |
6000+: | ¥1.740183 |
15000+: | ¥1.675699 |
30000+: | ¥1.617329 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00