货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.720648 | ¥9.72 |
10 | ¥7.272485 | ¥72.72 |
30 | ¥6.826055 | ¥204.78 |
100 | ¥6.379625 | ¥637.96 |
500 | ¥6.178012 | ¥3089.01 |
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.9 ns
正向跨导(Min) 4.6 S
上升时间 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33.6 ns
典型接通延迟时间 10.9 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0FCD900N60Z
型号:FCD900N60Z
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.720648 |
10+: | ¥7.272485 |
30+: | ¥6.826055 |
100+: | ¥6.379625 |
500+: | ¥6.178012 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.72