货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.866363 | ¥19.87 |
10 | ¥17.859175 | ¥178.59 |
100 | ¥14.353104 | ¥1435.31 |
500 | ¥11.792125 | ¥5896.06 |
1000 | ¥9.770689 | ¥9770.69 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 195 A
漏源电阻 2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 186 nC
耗散功率 294 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 93 ns
正向跨导(Min) 498 S
上升时间 134 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 118 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB7534PBF SP001554650
单位重量 2 g
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0IRFB7534PBF
型号:IRFB7534PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.866363 |
10+: | ¥17.859175 |
100+: | ¥14.353104 |
500+: | ¥11.792125 |
1000+: | ¥9.770689 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.87