
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.394424 | ¥4183.27 |
| 6000 | ¥1.254982 | ¥7529.89 |
| 15000 | ¥1.16202 | ¥17430.30 |
| 30000 | ¥1.143428 | ¥34302.84 |
| 75000 | ¥1.11554 | ¥83665.50 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 4.6 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN60R1K5PFD7S SP004748876
单位重量 116.010 mg
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0IPN60R1K5PFD7SATMA1
型号:IPN60R1K5PFD7SATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.394424 |
| 6000+: | ¥1.254982 |
| 15000+: | ¥1.16202 |
| 30000+: | ¥1.143428 |
| 75000+: | ¥1.11554 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00