货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.705392 | ¥5116.18 |
6000 | ¥1.534853 | ¥9209.12 |
15000 | ¥1.42116 | ¥21317.40 |
30000 | ¥1.398422 | ¥41952.66 |
75000 | ¥1.364314 | ¥102323.55 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 4.6 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN60R1K5PFD7S SP004748876
单位重量 116.010 mg
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0IPN60R1K5PFD7SATMA1
型号:IPN60R1K5PFD7SATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.705392 |
6000+: | ¥1.534853 |
15000+: | ¥1.42116 |
30000+: | ¥1.398422 |
75000+: | ¥1.364314 |
货期:1-2天
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