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IPN60R1K5PFD7SATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPN60R1K5PFD7SATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 1.705392 5116.18
6000 1.534853 9209.12
15000 1.42116 21317.40
30000 1.398422 41952.66
75000 1.364314 102323.55

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 3.6 A

漏源电阻 1.5 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 4.6 nC

耗散功率 6 W

通道模式 Enhancement

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPN60R1K5PFD7S SP004748876

单位重量 116.010 mg

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IPN60R1K5PFD7SATMA1

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型号:IPN60R1K5PFD7SATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥1.705392
6000+: ¥1.534853
15000+: ¥1.42116
30000+: ¥1.398422
75000+: ¥1.364314

货期:1-2天

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