MMBT6520LT1G
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整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 350 V
集电极—基极电压 - 350 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 1 V
最大直流电集电极电流 - 500 mA
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 200 MHz
集电极连续电流 - 0.5 A
直流集电极 20
直流电流增益（Max） 200
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
MMBT6520LT1G 同类别型号
注
MMBT6520LT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
MMBT6520LT1G
型号：MMBT6520LT1G
品牌：ON
供货：锐单
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