
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.500269 | ¥8.50 |
| 10 | ¥7.437734 | ¥74.38 |
| 25 | ¥6.981554 | ¥174.54 |
| 100 | ¥5.068993 | ¥506.90 |
| 250 | ¥4.888221 | ¥1222.06 |
| 500 | ¥4.234834 | ¥2117.42 |
| 1000 | ¥3.604114 | ¥3604.11 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 4.6 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN60R1K5PFD7S SP004748876
单位重量 116.010 mg
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0IPN60R1K5PFD7SATMA1
型号:IPN60R1K5PFD7SATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.500269 |
| 10+: | ¥7.437734 |
| 25+: | ¥6.981554 |
| 100+: | ¥5.068993 |
| 250+: | ¥4.888221 |
| 500+: | ¥4.234834 |
| 1000+: | ¥3.604114 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.50