
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.133915 | ¥18.13 |
| 10 | ¥16.178852 | ¥161.79 |
| 100 | ¥12.610155 | ¥1261.02 |
| 500 | ¥10.416517 | ¥5208.26 |
| 1000 | ¥8.22359 | ¥8223.59 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 41.3 nC
耗散功率 2.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.7 ns
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23.4 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
高度 2.29 mm
长度 6.58 mm
宽度 6.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0DMTH6010LK3-13
型号:DMTH6010LK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥18.133915 |
| 10+: | ¥16.178852 |
| 100+: | ¥12.610155 |
| 500+: | ¥10.416517 |
| 1000+: | ¥8.22359 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.13