STP10N105K5
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- 制造商编号：
- STP10N105K5
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥54.283778 | ￥54.28 |
| 10 | ￥45.566356 | ￥455.66 |
| 100 | ￥36.859121 | ￥3685.91 |
| 500 | ￥32.763534 | ￥16381.77 |
| 1000 | ￥28.053652 | ￥28053.65 |
| 2000 | ￥26.415534 | ￥52831.07 |
| 5000 | ￥25.692963 | ￥128464.81 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STP10N105K5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB
包装
Tube
系列
MDmesh™ K5
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
1050V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.3Ohm @ 3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
21.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
545pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
130W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
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注
STP10N105K5品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STP10N105K5
数据手册PDF。
STP10N105K5
型号：STP10N105K5
品牌：ST
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥54.283778 |
| 10+： | ￥45.566356 |
| 100+： | ￥36.859121 |
| 500+： | ￥32.763534 |
| 1000+： | ￥28.053652 |
| 2000+： | ￥26.415534 |
| 5000+： | ￥25.692963 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥54.28