货期: 8周-10周
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2000 | ¥3.244074 | ¥6488.15 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.5 ns
上升时间 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.9 ns
典型接通延迟时间 3.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
购物车
0DMT3009LFVWQ-7
型号:DMT3009LFVWQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥3.244074 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00