货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.856538 | ¥5.86 |
10 | ¥4.186802 | ¥41.87 |
100 | ¥2.109601 | ¥210.96 |
500 | ¥1.869607 | ¥934.80 |
1000 | ¥1.454915 | ¥1454.91 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 170 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 360 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 8 mg
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0BSS123TA
型号:BSS123TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.856538 |
10+: | ¥4.186802 |
100+: | ¥2.109601 |
500+: | ¥1.869607 |
1000+: | ¥1.454915 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.86