货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.303087 | ¥14.30 |
10 | ¥12.799429 | ¥127.99 |
100 | ¥9.979154 | ¥997.92 |
500 | ¥8.243468 | ¥4121.73 |
1000 | ¥6.507905 | ¥6507.90 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 7.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 60 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
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0SISH434DN-T1-GE3
型号:SISH434DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.303087 |
10+: | ¥12.799429 |
100+: | ¥9.979154 |
500+: | ¥8.243468 |
1000+: | ¥6.507905 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.30