SQD10950E_GE3
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- 制造商编号：
- SQD10950E_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- AUTOMOTIVE N-CHANNEL 250 V (D-S)
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥9.616224 | ￥19232.45 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 11.5 A
漏源电阻 134.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 10.6 nC
耗散功率 62 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
上升时间 3 ns
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
SQD10950E_GE3 同类别型号
注
SQD10950E_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SQD10950E_GE3、查询SQD10950E_GE3代理商；
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替代型号
、SQD10950E_GE3
数据手册PDF。
SQD10950E_GE3
型号：SQD10950E_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥9.616224 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00