IPD60R2K0PFD7SAUMA1
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- 制造商编号：
- IPD60R2K0PFD7SAUMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.9645 | ￥2.96 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 3.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
下降时间 105 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 7.2 ns
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R2K0PFD7S SP004177934
单位重量 4 g
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注
IPD60R2K0PFD7SAUMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPD60R2K0PFD7SAUMA1
数据手册PDF。
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
型号：IPD60R2K0PFD7SAUMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.9645 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.96