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IPD60R2K0PFD7SAUMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 7.660735 7.66
10 6.758744 67.59
25 6.355938 158.90
100 4.612504 461.25
250 4.448168 1112.04
500 3.853843 1926.92
1000 3.279782 3279.78

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 3 A

漏源电阻 3.8 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 3.8 nC

耗散功率 20 W

通道模式 Enhancement

下降时间 105 ns

湿度敏感性 Yes

上升时间 7.2 ns

典型关闭延迟时间 41 ns

典型接通延迟时间 5.5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPD60R2K0PFD7S SP004177934

单位重量 4 g

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IPD60R2K0PFD7SAUMA1

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型号:IPD60R2K0PFD7SAUMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥7.660735
10+: ¥6.758744
25+: ¥6.355938
100+: ¥4.612504
250+: ¥4.448168
500+: ¥3.853843
1000+: ¥3.279782

货期:7-10天

+ -

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