货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.660735 | ¥7.66 |
10 | ¥6.758744 | ¥67.59 |
25 | ¥6.355938 | ¥158.90 |
100 | ¥4.612504 | ¥461.25 |
250 | ¥4.448168 | ¥1112.04 |
500 | ¥3.853843 | ¥1926.92 |
1000 | ¥3.279782 | ¥3279.78 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 3.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
下降时间 105 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 7.2 ns
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R2K0PFD7S SP004177934
单位重量 4 g
购物车
0IPD60R2K0PFD7SAUMA1
型号:IPD60R2K0PFD7SAUMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.660735 |
10+: | ¥6.758744 |
25+: | ¥6.355938 |
100+: | ¥4.612504 |
250+: | ¥4.448168 |
500+: | ¥3.853843 |
1000+: | ¥3.279782 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.66