
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥16.068043 | ¥16.07 |
| 10 | ¥14.439815 | ¥144.40 |
| 100 | ¥11.829829 | ¥1182.98 |
| 500 | ¥10.070593 | ¥5035.30 |
| 1000 | ¥8.493247 | ¥8493.25 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 2.3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 23.7 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 41 ns
正向跨导(Min) 1.75 S
上升时间 70 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP1R6N50D2
型号:IXTP1R6N50D2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥16.068043 |
| 10+: | ¥14.439815 |
| 100+: | ¥11.829829 |
| 500+: | ¥10.070593 |
| 1000+: | ¥8.493247 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.07