SQV120N10-3M8_GE3
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- 制造商编号：
- SQV120N10-3M8_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：385
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥33.361264 | ￥33.36 |
| 10 | ￥30.000426 | ￥300.00 |
| 25 | ￥28.359546 | ￥708.99 |
| 100 | ￥22.685659 | ￥2268.57 |
| 250 | ￥21.425345 | ￥5356.34 |
| 500 | ￥20.16503 | ￥10082.52 |
| 1000 | ￥17.266308 | ￥17266.31 |
| 2500 | ￥17.014244 | ￥42535.61 |
| 5000 | ￥15.501868 | ￥77509.34 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 190 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 110 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 16 ns
外形参数
高度 9.65 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 2.387 g
SQV120N10-3M8_GE3 同类别型号
注
SQV120N10-3M8_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQV120N10-3M8_GE3
数据手册PDF。
SQV120N10-3M8_GE3
型号：SQV120N10-3M8_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：385 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥33.361264 |
| 10+： | ￥30.000426 |
| 25+： | ￥28.359546 |
| 100+： | ￥22.685659 |
| 250+： | ￥21.425345 |
| 500+： | ￥20.16503 |
| 1000+： | ￥17.266308 |
| 2500+： | ￥17.014244 |
| 5000+： | ￥15.501868 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥33.36