货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.847861 | ¥19.85 |
10 | ¥17.817222 | ¥178.17 |
100 | ¥14.318628 | ¥1431.86 |
500 | ¥11.764084 | ¥5882.04 |
1000 | ¥9.803403 | ¥9803.40 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 175 A
漏源电阻 4.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 330 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns
正向跨导(Min) 91 S
上升时间 120 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 68 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF2805PBF SP001559506
单位重量 2 g
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0IRF2805PBF
型号:IRF2805PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.847861 |
10+: | ¥17.817222 |
100+: | ¥14.318628 |
500+: | ¥11.764084 |
1000+: | ¥9.803403 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.85