货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.449334 | ¥19.45 |
10 | ¥17.440046 | ¥174.40 |
25 | ¥16.454708 | ¥411.37 |
100 | ¥12.835131 | ¥1283.51 |
250 | ¥12.505922 | ¥3126.48 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 165 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 154 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 22 ns
典型关闭延迟时间 53 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FCP165N65S3
型号:FCP165N65S3
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.449334 |
10+: | ¥17.440046 |
25+: | ¥16.454708 |
100+: | ¥12.835131 |
250+: | ¥12.505922 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.45