SIHH26N60E-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIHH26N60E-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8
- 渠道：
- digikey
库存 ：3119
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥75.654682 | ￥75.65 |
| 10 | ￥67.975874 | ￥679.76 |
| 25 | ￥64.263978 | ￥1606.60 |
| 100 | ￥51.411182 | ￥5141.12 |
| 250 | ￥48.555005 | ￥12138.75 |
| 500 | ￥45.698829 | ￥22849.41 |
| 1000 | ￥39.129622 | ￥39129.62 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 117 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 77 nC
耗散功率 202 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
上升时间 54 ns
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 28 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
SIHH26N60E-T1-GE3 同类别型号
注
SIHH26N60E-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHH26N60E-T1-GE3
数据手册PDF。
SIHH26N60E-T1-GE3
型号：SIHH26N60E-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：3119 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥75.654682 |
| 10+： | ￥67.975874 |
| 25+： | ￥64.263978 |
| 100+： | ￥51.411182 |
| 250+： | ￥48.555005 |
| 500+： | ￥45.698829 |
| 1000+： | ￥39.129622 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥75.65