货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.831547 | ¥2494.64 |
6000 | ¥0.781137 | ¥4686.82 |
15000 | ¥0.7308 | ¥10962.00 |
30000 | ¥0.670307 | ¥20109.21 |
75000 | ¥0.645102 | ¥48382.65 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 57 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.4 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 2.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.3 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS306N H6327 SP000928940
单位重量 8 mg
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0BSS306NH6327XTSA1
型号:BSS306NH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.831547 |
6000+: | ¥0.781137 |
15000+: | ¥0.7308 |
30000+: | ¥0.670307 |
75000+: | ¥0.645102 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00