SIHD180N60E-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIHD180N60E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET E SERIES 600V DPAK (TO-25
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.520839 | ￥19.52 |
| 10 | ￥17.547304 | ￥175.47 |
| 25 | ￥16.586278 | ￥414.66 |
| 100 | ￥13.269881 | ￥1326.99 |
| 250 | ￥12.532808 | ￥3133.20 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 195 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导（Min） 6.5 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
SIHD180N60E-GE3 同类别型号
注
SIHD180N60E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHD180N60E-GE3、查询SIHD180N60E-GE3代理商；
SIHD180N60E-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SIHD180N60E-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SIHD180N60E-GE3
替代型号
、SIHD180N60E-GE3
数据手册PDF。
SIHD180N60E-GE3
型号：SIHD180N60E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.520839 |
| 10+： | ￥17.547304 |
| 25+： | ￥16.586278 |
| 100+： | ￥13.269881 |
| 250+： | ￥12.532808 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.52