
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥16.131926 | ¥16.13 |
| 10 | ¥14.49686 | ¥144.97 |
| 100 | ¥11.65272 | ¥1165.27 |
| 500 | ¥9.573943 | ¥4786.97 |
| 1000 | ¥7.932752 | ¥7932.75 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 5.9 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IRFI630GPBF
型号:IRFI630GPBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥16.131926 |
| 10+: | ¥14.49686 |
| 100+: | ¥11.65272 |
| 500+: | ¥9.573943 |
| 1000+: | ¥7.932752 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.13