
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.758705 | ¥11.76 |
| 10 | ¥10.455329 | ¥104.55 |
| 25 | ¥9.91698 | ¥247.92 |
| 100 | ¥7.437734 | ¥743.77 |
| 250 | ¥7.366899 | ¥1841.72 |
| 500 | ¥6.304365 | ¥3152.18 |
| 1000 | ¥5.135578 | ¥5135.58 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 57 A
漏源电阻 10.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.9 V
栅极电荷 6.8 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.9 ns
正向跨导(Min) 55 S
上升时间 38 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.1 ns
典型接通延迟时间 8.4 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRLR8259TRPBF SP001573124
单位重量 330 mg
购物车
0IRLR8259TRPBF
型号:IRLR8259TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥11.758705 |
| 10+: | ¥10.455329 |
| 25+: | ¥9.91698 |
| 100+: | ¥7.437734 |
| 250+: | ¥7.366899 |
| 500+: | ¥6.304365 |
| 1000+: | ¥5.135578 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.76