IPP65R310CFDXKSA1
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- 制造商编号：
- IPP65R310CFDXKSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：493
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥27.861991 | ￥27.86 |
| 10 | ￥25.063985 | ￥250.64 |
| 25 | ￥23.649635 | ￥591.24 |
| 100 | ￥18.446762 | ￥1844.68 |
| 250 | ￥17.97429 | ￥4493.57 |
| 500 | ￥15.609089 | ￥7804.54 |
| 1000 | ￥13.244126 | ￥13244.13 |
| 2500 | ￥13.054995 | ￥32637.49 |
| 5000 | ￥12.108869 | ￥60544.35 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPP65R310CFDXKSA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
包装
Tube
系列
CoolMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
310mOhm @ 4.4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 440µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
41nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1100pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
104.2W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
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注
IPP65R310CFDXKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPP65R310CFDXKSA1
数据手册PDF
。
IPP65R310CFDXKSA1
型号：IPP65R310CFDXKSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：493 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥27.861991 |
| 10+： | ￥25.063985 |
| 25+： | ￥23.649635 |
| 100+： | ￥18.446762 |
| 250+： | ￥17.97429 |
| 500+： | ￥15.609089 |
| 1000+： | ￥13.244126 |
| 2500+： | ￥13.054995 |
| 5000+： | ￥12.108869 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥27.86