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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥12.341228 | ¥12.34 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 2.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 195 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB120N06S4-02 SP001028776
单位重量 4 g
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0IPB120N06S402ATMA2
型号:IPB120N06S402ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.341228 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.34