货期: 8周-10周
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥18.703436 | ¥18703.44 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB50R199CP SP000236092
单位重量 4 g
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0IPB50R199CPATMA1
型号:IPB50R199CPATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥18.703436 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00