FQB7N65CTM
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- FQB7N65CTM
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：24
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 24 | ￥8.244831 | ￥197.88 |
| 50 | ￥7.914925 | ￥395.75 |
| 100 | ￥7.58535 | ￥758.53 |
| 300 | ￥7.255444 | ￥2176.63 |
| 500 | ￥6.925704 | ￥3462.85 |
| 1000 | ￥6.595798 | ￥6595.80 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
FQB7N65CTM
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
包装
Cut Tape (CT)
系列
QFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
36nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1245pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
173W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D²PAK (TO-263AB)
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FQB7N65CTM 同类别型号
注
FQB7N65CTM品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购FQB7N65CTM、查询FQB7N65CTM代理商；
FQB7N65CTM价格批发咨询客服；这里拥有
FQB7N65CTM中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到FQB7N65CTM
替代型号
、FQB7N65CTM
数据手册PDF。
FQB7N65CTM
型号：FQB7N65CTM
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 24+： | ￥8.244831 |
| 50+： | ￥7.914925 |
| 100+： | ￥7.58535 |
| 300+： | ￥7.255444 |
| 500+： | ￥6.925704 |
| 1000+： | ￥6.595798 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00