货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.595719 | ¥19.60 |
10 | ¥17.622771 | ¥176.23 |
100 | ¥14.163091 | ¥1416.31 |
500 | ¥11.636513 | ¥5818.26 |
1000 | ¥9.641763 | ¥9641.76 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0SIHB12N65E-GE3
型号:SIHB12N65E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.595719 |
10+: | ¥17.622771 |
100+: | ¥14.163091 |
500+: | ¥11.636513 |
1000+: | ¥9.641763 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.60