SIHB12N65E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHB12N65E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.022558 | ￥16.02 |
| 10 | ￥14.409365 | ￥144.09 |
| 100 | ￥11.580536 | ￥1158.05 |
| 500 | ￥9.514665 | ￥4757.33 |
| 1000 | ￥7.883645 | ￥7883.64 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SIHB12N65E-GE3 同类别型号
注
SIHB12N65E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHB12N65E-GE3、查询SIHB12N65E-GE3代理商；
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替代型号
、SIHB12N65E-GE3
数据手册PDF。
SIHB12N65E-GE3
型号：SIHB12N65E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥16.022558 |
| 10+： | ￥14.409365 |
| 100+： | ￥11.580536 |
| 500+： | ￥9.514665 |
| 1000+： | ￥7.883645 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.02