BSZ086P03NS3EGATMA1
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- 制造商编号：
- BSZ086P03NS3EGATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥2.231345 | ￥11156.73 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3.1 V
栅极电荷 57.5 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 30 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ086P03NS3E G SP000473016
单位重量 38.760 mg
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注
BSZ086P03NS3EGATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、BSZ086P03NS3EGATMA1
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。
BSZ086P03NS3EGATMA1
型号：BSZ086P03NS3EGATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥2.231345 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00