货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.547844 | ¥12.55 |
10 | ¥11.044471 | ¥110.44 |
100 | ¥8.468611 | ¥846.86 |
500 | ¥6.694868 | ¥3347.43 |
1000 | ¥5.356037 | ¥5356.04 |
2000 | ¥4.853885 | ¥9707.77 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3.1 V
栅极电荷 57.5 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ086P03NS3E G SP000473016
单位重量 38.760 mg
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0BSZ086P03NS3EGATMA1
型号:BSZ086P03NS3EGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.547844 |
10+: | ¥11.044471 |
100+: | ¥8.468611 |
500+: | ¥6.694868 |
1000+: | ¥5.356037 |
2000+: | ¥4.853885 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.55