
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.098925 | ¥17.10 |
| 10 | ¥14.192108 | ¥141.92 |
| 100 | ¥11.297673 | ¥1129.77 |
| 500 | ¥9.559715 | ¥4779.86 |
| 1000 | ¥8.111259 | ¥8111.26 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 96 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB4410PBF SP001556060
单位重量 2 g
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0IRFB4410PBF
型号:IRFB4410PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.098925 |
| 10+: | ¥14.192108 |
| 100+: | ¥11.297673 |
| 500+: | ¥9.559715 |
| 1000+: | ¥8.111259 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.10