
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥26.821574 | ¥26.82 |
| 10 | ¥17.002151 | ¥170.02 |
| 100 | ¥11.405988 | ¥1140.60 |
| 500 | ¥9.007503 | ¥4503.75 |
| 1000 | ¥8.236193 | ¥8236.19 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 16.3 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 38.1 nC
耗散功率 59 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0DMTH6010SK3Q-13
型号:DMTH6010SK3Q-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥26.821574 |
| 10+: | ¥17.002151 |
| 100+: | ¥11.405988 |
| 500+: | ¥9.007503 |
| 1000+: | ¥8.236193 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥26.82