
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥29.91242 | ¥29.91 |
| 10 | ¥26.861025 | ¥268.61 |
| 100 | ¥22.006136 | ¥2200.61 |
| 500 | ¥18.733268 | ¥9366.63 |
| 1000 | ¥15.799117 | ¥15799.12 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 300 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 17.7 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 23 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH12N65X2
型号:IXTH12N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥29.91242 |
| 10+: | ¥26.861025 |
| 100+: | ¥22.006136 |
| 500+: | ¥18.733268 |
| 1000+: | ¥15.799117 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥29.91