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IXTH12N65X2

IXYS(艾赛斯.力特)
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制造商编号:
IXTH12N65X2
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 29.91242 29.91
10 26.861025 268.61
100 22.006136 2200.61
500 18.733268 9366.63
1000 15.799117 15799.12

规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标名 HiPerFET

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 12 A

漏源电阻 300 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 17.7 nC

耗散功率 180 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 16 ns

上升时间 24 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 52 ns

典型接通延迟时间 23 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

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IXTH12N65X2

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型号:IXTH12N65X2

品牌:IXYS

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥29.91242
10+: ¥26.861025
100+: ¥22.006136
500+: ¥18.733268
1000+: ¥15.799117

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