货期: 8周-10周
起订量:300
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
300 | ¥42.309868 | ¥12692.96 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 200 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 290 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0IXFA18N65X2
型号:IXFA18N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
300+: | ¥42.309868 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00