货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥3.690125 | ¥11070.38 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 4.8 A
漏源电阻 800 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 1.7 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0SIHFR220-GE3
型号:SIHFR220-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥3.690125 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00