货期:(7~10天)
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥13.092344 | ¥130.92 |
50 | ¥9.60112 | ¥480.06 |
100 | ¥8.728278 | ¥872.83 |
1000 | ¥8.728278 | ¥8728.28 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 280 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP15N60E-BE3
单位重量 2 g
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0SIHP15N60E-E3
型号:SIHP15N60E-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
10+: | ¥13.092344 |
50+: | ¥9.60112 |
100+: | ¥8.728278 |
1000+: | ¥8.728278 |
货期:7-10天
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