货期:(7~10天)
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥15.011817 | ¥150.12 |
50 | ¥11.008743 | ¥550.44 |
100 | ¥10.007933 | ¥1000.79 |
1000 | ¥10.007933 | ¥10007.93 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 280 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP15N60E-BE3
单位重量 2 g
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0SIHP15N60E-E3
型号:SIHP15N60E-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
10+: | ¥15.011817 |
50+: | ¥11.008743 |
100+: | ¥10.007933 |
1000+: | ¥10.007933 |
货期:7-10天
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