
货期:(7~10天)
起订量:10
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ¥15.011361 | ¥150.11 |
| 50 | ¥11.008409 | ¥550.42 |
| 100 | ¥10.007629 | ¥1000.76 |
| 1000 | ¥10.007629 | ¥10007.63 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 280 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP15N60E-BE3
单位重量 2 g
购物车
0SIHP15N60E-E3
型号:SIHP15N60E-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 10+: | ¥15.011361 |
| 50+: | ¥11.008409 |
| 100+: | ¥10.007629 |
| 1000+: | ¥10.007629 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00