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整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 107 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 216 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FCP25N60N_F102
单位重量 2 g
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0FCP25N60N-F102
型号:FCP25N60N-F102
品牌:ON
供货:锐单
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