货期:(7~10天)
起订量:25
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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25 | ¥175.389468 | ¥4384.74 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 220 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 162 nC
耗散功率 1.25 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 56 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 26.16 mm
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar Power MOSFET HiPerFET
单位重量 10 g
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0IXFK220N15P
型号:IXFK220N15P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
25+: | ¥175.389468 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00