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DMN30H14DLY-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN30H14DLY-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89
渠道:
自营
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库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 2.174943 2.17
10 1.869728 18.70
30 1.738967 52.17
100 1.575752 157.58
500 1.503177 751.59

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标名 PowerDI

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 300 V

漏极电流 210 mA

漏源电阻 6 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 4 nC

耗散功率 2.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 12 ns

上升时间 8.6 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 22 ns

典型接通延迟时间 3.3 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 52 mg

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DMN30H14DLY-13

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型号:DMN30H14DLY-13

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥2.174943
10+: ¥1.869728
30+: ¥1.738967
100+: ¥1.575752
500+: ¥1.503177

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