货期: 8周-10周
起订量:30
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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30 | ¥184.014184 | ¥5520.43 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 170 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 185 nC
耗散功率 1.25 kW
通道模式 Enhancement
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 45 S
上升时间 25 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 21.34 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar Power MOSFET HiPerFET
单位重量 6 g
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0IXFX170N20P
型号:IXFX170N20P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
30+: | ¥184.014184 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00