ZXMN6A25N8TA
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- 制造商编号：
- ZXMN6A25N8TA
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 8SO
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 500 | ￥3.97747 | ￥1988.73 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.7 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.4 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.6 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.2 ns
典型接通延迟时间 3.8 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
ZXMN6A25N8TA 同类别型号
注
ZXMN6A25N8TA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、ZXMN6A25N8TA
数据手册PDF
。
ZXMN6A25N8TA
型号：ZXMN6A25N8TA
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 500+： | ￥3.97747 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00