
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.67507 | ¥14.68 |
| 10 | ¥13.201717 | ¥132.02 |
| 25 | ¥12.453347 | ¥311.33 |
| 100 | ¥9.71361 | ¥971.36 |
| 250 | ¥9.464543 | ¥2366.14 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 199 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 63 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP65R225C7 SP000929432
单位重量 2 g
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0IPP65R225C7XKSA1
型号:IPP65R225C7XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.67507 |
| 10+: | ¥13.201717 |
| 25+: | ¥12.453347 |
| 100+: | ¥9.71361 |
| 250+: | ¥9.464543 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥14.68