搜索

DMN30H14DLY-13

DIODES(美台)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
DMN30H14DLY-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 3.859457 3.86
10 2.952197 29.52
30 2.779385 83.38
100 2.606574 260.66
500 2.534569 1267.28

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标名 PowerDI

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 300 V

漏极电流 210 mA

漏源电阻 6 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 4 nC

耗散功率 2.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 12 ns

上升时间 8.6 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 22 ns

典型接通延迟时间 3.3 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 52 mg

DMN30H14DLY-13 相关产品

DMN30H14DLY-13品牌厂家:DIODES ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购DMN30H14DLY-13、查询DMN30H14DLY-13代理商; DMN30H14DLY-13价格批发咨询客服;这里拥有 DMN30H14DLY-13中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到DMN30H14DLY-13 替代型号 、DMN30H14DLY-13 数据手册PDF

购物车

DMN30H14DLY-13

锐单logo

型号:DMN30H14DLY-13

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥3.859457
10+: ¥2.952197
30+: ¥2.779385
100+: ¥2.606574
500+: ¥2.534569

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥3.86