
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.42516 | ¥4.43 |
| 10 | ¥3.384916 | ¥33.85 |
| 30 | ¥3.186776 | ¥95.60 |
| 100 | ¥2.988634 | ¥298.86 |
| 500 | ¥2.906075 | ¥1453.04 |
制造商 Diodes Incorporated
商标名 PowerDI
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 210 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 4 nC
耗散功率 2.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 8.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 52 mg
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0DMN30H14DLY-13
型号:DMN30H14DLY-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.42516 |
| 10+: | ¥3.384916 |
| 30+: | ¥3.186776 |
| 100+: | ¥2.988634 |
| 500+: | ¥2.906075 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.43