货期:国内(1~3工作日)
起订量:1500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1500 | ¥5.027866 | ¥7541.80 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 25.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 38 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 138 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
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0NVMFD6H852NLWFT1G
型号:NVMFD6H852NLWFT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1500+: | ¥5.027866 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00