IPA65R280E6XKSA1
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- 制造商编号：
- IPA65R280E6XKSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：500
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥44.319617 | ￥44.32 |
| 10 | ￥39.846236 | ￥398.46 |
| 100 | ￥32.643262 | ￥3264.33 |
| 500 | ￥27.788537 | ￥13894.27 |
| 1000 | ￥23.435966 | ￥23435.97 |
| 2000 | ￥22.264188 | ￥44528.38 |
| 5000 | ￥21.427222 | ￥107136.11 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPA65R280E6XKSA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
包装
Tube
系列
CoolMOS™
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
13.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
280mOhm @ 4.4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 440µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
45nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
950pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
32W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
PG-TO220-FP
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack
IPA65R280E6XKSA1 同类别型号
注
IPA65R280E6XKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPA65R280E6XKSA1
数据手册PDF
。
IPA65R280E6XKSA1
型号：IPA65R280E6XKSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥44.319617 |
| 10+： | ￥39.846236 |
| 100+： | ￥32.643262 |
| 500+： | ￥27.788537 |
| 1000+： | ￥23.435966 |
| 2000+： | ￥22.264188 |
| 5000+： | ￥21.427222 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥44.32