货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.336815 | ¥14.34 |
10 | ¥11.706322 | ¥117.06 |
100 | ¥9.104502 | ¥910.45 |
500 | ¥7.716698 | ¥3858.35 |
1000 | ¥6.286133 | ¥6286.13 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 140 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 140 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 66 S
上升时间 6.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRLR7833TRPBF SP001558534
单位重量 330 mg
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0IRLR7833TRPBF
型号:IRLR7833TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.336815 |
10+: | ¥11.706322 |
100+: | ¥9.104502 |
500+: | ¥7.716698 |
1000+: | ¥6.286133 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.34