商品描述
MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
3Ohm @ 1.1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
170pF @ 25V
功率耗散(最大值)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA